簡要描述：SB6/8Gen2晶圓貼片機(jī)一、晶圓鍵合工藝的設(shè)備SUSSMicroTec公司的SB6/8e提供一種適合各種鍵合工藝的半自動(dòng)平臺

SB6/8 Gen2 晶圓貼片機(jī)

一、晶圓鍵合工藝的設(shè)備

SUSS MicroTec 公司的 SB6/8e 提供一種適合各種鍵合工藝的半自動(dòng)平臺。SB6/8e 可以處理200毫米以下各種形狀和類型的襯底和晶圓。因此，它是一個(gè)適合多種用途和工藝環(huán)境的靈活工具。應(yīng)用領(lǐng)域包括，MEMS、LED 中的封裝及結(jié)構(gòu)塑造、封裝、2.5D和3D集成。

SB6/8e 從研究開發(fā)、到批量生產(chǎn)，再到最后的大規(guī)模生產(chǎn)都簡單明了。

二、在鍵合室溫度、鍵合力和空氣壓力的配置上有廣闊的自由度，這大大增加了應(yīng)用的選擇范圍。此外，還能調(diào)整工藝以適應(yīng)不斷變化的工藝條件。

與 SUSS 鍵合對準(zhǔn)器套裝組合后，SB6/8e 還能進(jìn)行高精度預(yù)鍵合對準(zhǔn)

三、詳細(xì)情況 :

1.安全裝載晶圓：

防止用戶直接接觸壓力室

防止顆粒進(jìn)入，打造無污染的工藝環(huán)境

2.工藝參數(shù)：

鍵合力可達(dá) 20 kN

溫度可達(dá) 550°C

精確的溫度控制 (< 1 %) 和高度的均勻性 (± 2 %)

對所有鍵合參數(shù)工藝方案（工藝指導(dǎo)）的強(qiáng)大控制

快速加熱和主動(dòng)冷卻，以減少通行時(shí)間

3.臨時(shí)晶圓鍵合：

為降低薄晶圓處理 的風(fēng)險(xiǎn)，晶圓在減薄之前應(yīng)預(yù)先置于晶圓載體上。 這種鍵合僅用于接下來的加工步驟 - 完成晶圓加工后會(huì)解除鍵合。

4.臨時(shí)鍵合的必要步驟：

涂覆剝離層（涂層 或 等離子體活化)

涂覆粘材

鍵合

熱固化或紫外線固化

5.SUSS MicroTec 公司的開放平臺兼容臨時(shí)鍵合的所有常見材料系統(tǒng)。 除了已用于生產(chǎn)的工藝外，SUSS MicroTec 公司還在不斷的鑒定更多材料，以便范圍的支持市場上可供選擇的粘材。

6.我們的客戶將受益于：

開放的、可靈活配置的鍵合平臺，支持所有常用粘材和工藝

在一臺設(shè)備中涂覆粘接層和剝離層，以及臨時(shí)鍵合

測量晶圓厚度和厚度變化（TTV）的集成測量系統(tǒng)

7.膠黏鍵合：這種使用聚合物和膠黏劑的鍵合方法可用于許多種材料，如環(huán)氧材料、干性薄膜、BCB、聚酰亞胺及可紫外固化的化合物。

8.陽極鍵合：在陽極鍵合方法中部件被離子化玻璃封裝在晶圓上。 通過三層疊層鍵合技術(shù)可同時(shí)連接三層（玻璃-硅-玻璃），這提高了它的性能和產(chǎn)率。

9.共晶鍵合：熱鍵合是指兩個(gè)平面基板自發(fā)粘合。 該工藝包括沖洗拋光盤，使其具備高度親水性，然后使其相互接觸并在高溫下回火。 等離子體預(yù)處理工藝可使基板在室溫條件下鍵合。

10.熱鍵合：熱鍵合是指兩個(gè)平面基板自發(fā)粘合。 該工藝包括沖洗拋光盤，使其具備高度親水性，然后使其相互接觸并在高溫下回火。 等離子體預(yù)處理工藝可使基板在室溫條件下鍵合。

11.玻璃漿料鍵合：在此種方法中，通過網(wǎng)印將玻璃漿料涂在鍵合面上。 熔化所產(chǎn)生的結(jié)構(gòu)并接觸第二個(gè)襯底。 冷卻后會(huì)形成穩(wěn)定的機(jī)械性連接。

12.脈沖電流接合：

脈沖電流粘接（ICB）結(jié)合了陽極粘接的堅(jiān)固性和其他更復(fù)雜的粘接方法的材料多樣性。它允許具有不同熱膨脹系數(shù)的材料--如玻璃與金屬、半金屬和陶瓷--的結(jié)合，以及無堿場輔助的結(jié)合。與陽極粘接相比，脈沖電流在材料界面引起更高的原子間擴(kuò)散，從而在較低的溫度和較短的加工時(shí)間內(nèi)形成牢固和持久的粘接。在粘合過程中，異種材料對的熱膨脹較低，誘發(fā)的應(yīng)力較小，從而避免了產(chǎn)品的變形或彎曲。