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    反應(yīng)性離子刻蝕系統(tǒng)RIE

    簡(jiǎn)要描述:v可為多種材料提供各向異性干法刻蝕工藝v兼容200mm以下所有尺寸的晶圓

    基礎(chǔ)信息

    產(chǎn)品型號(hào)

    廠商性質(zhì)

    代理商

    更新時(shí)間

    2024-10-22

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    詳細(xì)介紹

    v 為多種材料提供各向異性干法刻蝕工藝

    v 兼容200mm以下所有尺寸的晶圓,快速更換到不同尺寸的晶圓工藝

    v 電極的適用溫度范圍寬,-150°C400°C

    v 應(yīng)用方向:

    ? III-V族材料刻蝕工藝

    ? 固體激光器 InP刻蝕

    ? VCSEL GaAs/AlGaAs刻蝕

    ? 射頻器件低損傷 GaN刻蝕

    ? 類(lèi)金剛石 DLC) 沉積

    ? 二氧化硅和石英刻蝕

    ? 用特殊配置的PlasmaPro FA設(shè)備進(jìn)行失效分析的干法刻蝕解剖工藝,可處理封裝好的芯片, 裸晶片,以及200mm晶圓用于高亮度LED生產(chǎn)的硬掩模沉積和刻蝕


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